產(chǎn)品中心
Product Center
Graphene（石墨烯）
所屬分類
產(chǎn)品附件
理想的石墨烯結(jié)構(gòu)可以看作被剝離的單原子層石墨，基本結(jié)構(gòu)為類六元環(huán)苯單元并無限擴(kuò)展的二維晶體材 料，這是目前世界上最薄的材料——單原子厚度的材料。這種特殊結(jié)構(gòu)蘊(yùn)含了豐富而新奇的物理現(xiàn)象，使石墨烯 表現(xiàn)出許多優(yōu)異。
產(chǎn)品詳情
理想的石墨烯結(jié)構(gòu)可以看作被剝離的單原子層石墨，基本結(jié)構(gòu)為類六元環(huán)苯單元并無限擴(kuò)展的二維晶體材料，這是目前世界上最薄的材料——單原子厚度的材料。這種特殊結(jié)構(gòu)蘊(yùn)含了豐富而新奇的物理現(xiàn)象，使石墨烯表現(xiàn)出許多優(yōu)異。
特性
獨(dú)特性質(zhì)
| 分類 | 性能 | 性能描述 | 應(yīng)用領(lǐng)域 |
| “最”性能 | 最軟 | 莫氏硬度只有 1~2 級(jí) | 柔性電子器件 |
| 最薄 | 厚度為 0.335nm，頭發(fā)的20 萬分之一 | 納米電子器件 | |
| 最高強(qiáng)度 | 拉伸強(qiáng)度130MPa，楊氏模量1TPa | 復(fù)合材料 | |
| 最快電子傳輸 | 載流子遷移率 15000cm2/V·s(為硅材料10 倍) | 傳感，顯示，儲(chǔ)能 | |
| 最快傳熱 | 導(dǎo)熱系數(shù)5000W/(m·K) | 導(dǎo)熱，散熱材料 | |
| “特”性能 | 透光性 | 單層幾乎完全透明，吸光率隨層數(shù)線性增加 | 光電器件 |
| 平面晶體 | 優(yōu)異的晶體結(jié)構(gòu)性能 | - | |
| 超大比表面積 | 比表面積 2630m2/g | 傳感，顯示，儲(chǔ)能 | |
| 室溫鐵磁效應(yīng) | - | 微電子，存儲(chǔ)芯片 |
制備方法
1.1Thermal CVD 法簡(jiǎn)述
化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備石墨烯一般選擇 CH4，Ar，H2 等氣體作為前驅(qū)體，以過渡金屬晶體作為基底。將金屬基底放入封閉的容器中(如石英管)，高溫催化裂解氣體生成的碳原子沉積在過渡金屬表面形成 石墨烯薄膜，這種方法可制備出大面積石墨烯薄膜，但其所需的溫度高，生長(zhǎng)的石墨烯尺寸受基底限制， 而且需要移除基底，成本高。在制備過程中，利用等離子的輔助，所生長(zhǎng)的石墨烯會(huì)具有更好結(jié)晶性，更少的缺陷，且層數(shù)較少(5 層左右)，因而質(zhì)量更高。
1.2 CVD法是最具潛力進(jìn)行大規(guī)模，高質(zhì)量，大尺寸石墨烯膜制備手段。
常見化學(xué)氣相沉積法原理主要有兩種：
滲碳析碳機(jī)制： 對(duì)于 Ni 等具有較高溶 C 量的金屬基體，碳源裂解產(chǎn)生的碳原子在高溫時(shí)滲入，溫度降低時(shí)，從基 體中析出成核，長(zhǎng)大成石墨烯
表面生長(zhǎng)機(jī)制： 對(duì)于銅等具有較低的溶C 量的金屬基體，高溫下，氣態(tài)碳源裂解生成碳原子吸附于表面，生長(zhǎng)成石 墨烯島，再二維長(zhǎng)大合并得到石墨烯。
CVD設(shè)備及開發(fā)現(xiàn)狀
應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展目標(biāo)
觸摸屏、折疊屏幕、可折疊OLED、光電探測(cè)器、生物傳感器、調(diào)制器、半導(dǎo)體、自旋 troic 傳感器、自旋光學(xué)混合動(dòng)力、波浪發(fā)生器、邏輯晶體管、射頻-晶體管、波探測(cè)器；
熱擴(kuò)散板、靈活顯示、汽車加熱器、阻隔膜、生物傳感器；
相關(guān)產(chǎn)品
